Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
 
 
S-mini
S-mini
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
 
 
S-Mini 6P
S-Mini 6P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<150 мА
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
>200Ic, Vce = 2mA, 6V
>120Ic, Vce = 2mA, 6V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<80 МГц
<80 МГц
<80 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92.3, SC-43
TO-92.3, SC-43
TO-92.3, SC-43
Toshiba
Toshiba
Toshiba
<4 А
<8 А
 
<350 В
<100 Вт
 
>2000
<1.5 В
 
 
 
<150
 
NPN Darlington
 
<100 Вт
 
<2 В
 
 
 
Крізь отвір
TO-220
STMicroelectronics
<50 мА
 
 
<12 В
<350 мВт
 
>208mA, 10V
 
 
 
2.1 ГГц
 
6.5 дБ60MHz
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<350 мВт
<350 мВт
<250 мВт
 
 
 
>508mA, 10V
>508mA, 10V
>508mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6 дБ60MHz
6 дБ60MHz
6 дБ60MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>155mA, 10V
>155mA, 10V
 
 
 
 
 
 
3 ГГц
3 ГГц
 
 
2 дБ900MHz
2 дБ900MHz
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>2502mA, 10V
>2502mA, 10V
 
 
 
 
 
 
250 МГц
250 МГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
S-Mini 3P
S-Mini 3P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>605mA, 10V
>605mA, 10V
 
 
 
 
 
 
1.2 ГГц
1.2 ГГц
 
 
2.5 дБ400MHz
2.5 дБ400MHz
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<30 мА
<30 мА
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<125 мВт
<125 мВт
 
 
>1101mA, 10V
>1101mA, 10V
 
 
 
 
 
 
300 МГц
300 МГц
 
 
2.8 дБ5MHz
2.8 дБ5MHz
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SS Mini 3P
SS Mini 3P
Panasonic - SSG
Panasonic - SSG