Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
>160Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
>3Ic, Vce = 5mA, 10V
>3Ic, Vce = 5mA, 10V
>3Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
 
>8Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
 
<250 мВIb, Ic = 5mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
>15Ic, Vce = 5mA, 10V
>15Ic, Vce = 5mA, 10V
>15Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
<400 мВт
 
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
>80Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 300µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
500 нА
500 нА
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor