Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>30Ic, Vce = 5mA, 5V
>30Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 5mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-523F
SOT-523F
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor