Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<20 мА
<20 мА
<20 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
<200 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
<200 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 пА
<500 пА
<500 пА
 
Крізь отвір
Крізь отвір
 
8-DIP (300 mil)
8-DIP (300 mil)
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
<20 мА
<20 мА
<20 мА
 
 
 
 
 
 
<36 В
<36 В
<36 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
<100 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
<100 мВIb, Ic = 100µA, 1mA
 
 
 
 
 
 
<190 МГц
<190 МГц
<190 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
 
8-DIP (300 mil)
8-DIP (300 mil)
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
<3 А
<3 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<2 Вт
<2 Вт
 
 
>30Ic, Vce = 3A, 2V
>30Ic, Vce = 3A, 2V
<700 мВIb, Ic = 100mA, 2A
<700 мВIb, Ic = 100mA, 2A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1 мкА
<1 мкА
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<5 А
<5 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 Вт
<2 Вт
 
 
>80Ic, Vce = 5A, 2V
>80Ic, Vce = 5A, 2V
<700 мВIb, Ic = 250mA, 5A
<700 мВIb, Ic = 250mA, 5A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1 мкА
<1 мкА
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<660 мВт
<660 мВт
 
 
>400Ic, Vce = 100mA, 2V
>400Ic, Vce = 100mA, 2V
<170 мВIb, Ic = 6mA, 300mA
<170 мВIb, Ic = 6mA, 300mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-3T1D
2-3T1D
Toshiba
Toshiba
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-3T1A
2-3T1A
Toshiba
Toshiba
<3 А
<3 А
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<940 мВт
<940 мВт
 
 
>400Ic, Vce = 300mA, 2V
>400Ic, Vce = 300mA, 2V
<140 мВIb, Ic = 20mA, 1A
<140 мВIb, Ic = 20mA, 1A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Toshiba
Toshiba
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<800 мВт
<800 мВт
 
 
>400
>400
<170 мВ
<170 мВ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-3V1C
2-3V1C
Toshiba
Toshiba
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<140 МГц
<140 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<140 МГц
<140 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor