Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<180 МГц
<180 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<180 МГц
<180 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>27Ic, Vce = 10mA, 10V
>27Ic, Vce = 10mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 4mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 4mA, 20mA
 
 
 
 
<1.5 ГГц
<1.5 ГГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<11 В
<11 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>56Ic, Vce = 5mA, 10V
>56Ic, Vce = 5mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 10mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 10mA
 
 
 
 
<3.2 ГГц
<3.2 ГГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT5
EMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<500 мВт
<500 мВт
<500 мВт
 
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-563
SOT-563
SOT-563
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 10mA, 2V
>270Ic, Vce = 10mA, 2V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT6
EMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<300 мВт
<300 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor