Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<2 А
<2 А
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<800 мВт
<800 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 300mA, 2V
>200Ic, Vce = 300mA, 2V
<200 мВIb, Ic = 33mA, 1A
<200 мВIb, Ic = 33mA, 1A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
2-3T1A
2-3T1A
Toshiba
Toshiba
<3 А
 
 
<400 В
<60 Вт
 
>10Ic, Vce = 2A, 5V
<1 ВIb, Ic = 500mA, 2A
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
TO-220-3 (Straight Leads)
STMicroelectronics
<4 А
 
 
<400 В
<70 Вт
 
>10Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.3 ВIb, Ic = 600mA, 2.5A
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
<250 мкА
Крізь отвір
TO-220-3 (Straight Leads)
STMicroelectronics
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<140 МГц
<140 МГц
 
 
 
 
PNP+Diode (Isolated)
PNP+Diode (Isolated)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<180 МГц
<180 МГц
 
 
 
 
NPN+Diode (Isolated)
NPN+Diode (Isolated)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<120 мВт
<120 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 10mA, 2V
>270Ic, Vce = 10mA, 2V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
 
 
 
 
<260 МГц
<260 МГц
 
 
 
 
PNP+Diode (Isolated)
PNP+Diode (Isolated)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 нА
<50 нА
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 нА
<50 нА
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor