Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<450 В
<450 В
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
>50Ic, Vce = 10mA, 10V
>50Ic, Vce = 10mA, 10V
<600 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<600 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<2 А
<2 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<360 МГц
<360 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
<370 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<370 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<280 МГц
<280 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<2 А
<2 А
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
>270Ic, Vce = 200mA, 2V
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<180 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<360 МГц
<360 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
>270Ic, Vce = 100mA, 2V
<350 мВIb, Ic = 50mA, 1A
<350 мВIb, Ic = 50mA, 1A
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
<8 А
<8 А
 
 
 
 
<700 В
<700 В
<50 Вт
<50 Вт
 
 
>10Ic, Vce = 1A, 5V
>10Ic, Vce = 1A, 5V
<5 ВIb, Ic = 1A, 4.5A
<5 ВIb, Ic = 1A, 4.5A
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<2 мА
<2 мА
Крізь отвір
Крізь отвір
ISOWATT218FX
ISOWATT218FX
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<25 А
 
 
<80 В
<130 Вт
 
>300Ic, Vce = 20A, 3V
<1.2 ВIb, Ic = 20mA, 5A
 
 
 
 
 
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
<500 мкА
Крізь отвір
TO-247-3
STMicroelectronics
<25 А
 
 
<80 В
<130 Вт
 
>300Ic, Vce = 20A, 3V
<1.2 ВIb, Ic = 20mA, 5A
 
 
 
 
 
PNP Darlington
 
 
 
 
 
 
<500 мкА
Крізь отвір
TO-247-3
STMicroelectronics
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<330 мВт
<330 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
<300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<330 мВт
<330 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
>100Ic, Vce = 150mA, 10V
<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23
SOT-23
Infineon Technologies
Infineon Technologies