MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
59 нCVgs = 10V
59 нCVgs = 10V
59 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.1 нФVds = 25V
1.1 нФVds = 25V
1.1 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<5.8 А
<5.8 А
<5.8 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<45 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
91 нCVgs = 4.5V
91 нCVgs = 4.5V
91 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8.676 нФVds = 10V
8.676 нФVds = 10V
8.676 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<16 А
<16 А
<16 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<7 мОмId, Vgs = 16A, 4.5V
<7 мОмId, Vgs = 16A, 4.5V
<7 мОмId, Vgs = 16A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), SO-8
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
79 нCVgs = 10V
79 нCVgs = 10V
79 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.8 нФVds = 25V
1.8 нФVds = 25V
1.8 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<13 А
<12 А
<12 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<11 мОмId, Vgs = 7.3A, 10V
<13.5 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
<13.5 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
92 нCVgs = 10V
92 нCVgs = 10V
92 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.7 нФVds = 25V
1.7 нФVds = 25V
1.7 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<10 А
<10 А
<10 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<20 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 5.6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
38 нCVgs = 4.5V
38 нCVgs = 4.5V
38 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.529 нФVds = 10V
3.529 нФVds = 10V
3.529 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<11.5 А
<11.5 А
<11.5 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<14 мОмId, Vgs = 11.5A, 4.5V
<14 мОмId, Vgs = 11.5A, 4.5V
<14 мОмId, Vgs = 11.5A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
FETKY™
FETKY™
FETKY™
27 нCVgs = 10V
27 нCVgs = 10V
27 нCVgs = 10V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
510 пФVds = 25V
510 пФVds = 25V
510 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<5.8 А
<5.8 А
<5.8 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<35 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
<35 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
<35 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
FETKY™
FETKY™
FETKY™
22 нCVgs = 4.5V
22 нCVgs = 4.5V
22 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
610 пФVds = 15V
610 пФVds = 15V
610 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<4.3 А
<4.3 А
<4.3 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<90 мОмId, Vgs = 2.2A, 4.5V
<90 мОмId, Vgs = 2.2A, 4.5V
<90 мОмId, Vgs = 2.2A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
 
 
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
110 нCVgs = 10V
110 нCVgs = 10V
110 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.03 нФVds = 25V
4.03 нФVds = 25V
4.03 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<11 А
<11 А
<11 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<13.5 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<13.5 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<13.5 мОмId, Vgs = 11A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
130 нCVgs = 4.5V
130 нCVgs = 4.5V
130 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7.98 нФVds = 15V
7.98 нФVds = 15V
7.98 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<8.2 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V
<8.2 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V
<8.2 мОмId, Vgs = 15A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width), 8-SOIC (3.9mm Width)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier