MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
OptiMOS™
OptiMOS™
16 нCVgs = 10V
16 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<44 Вт
<44 Вт
 
 
 
 
 
 
1.09 нФVds = 50V
1.09 нФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<20 А
<20 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<49 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<49 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
68 нCVgs = 10V
68 нCVgs = 10V
68 нCVgs = 10V
 
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
<136 Вт
<136 Вт
<136 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2 нФVds = 25V
1.9 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<50 А
<50 А
<50 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<7.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<6.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
35 нCVgs = 10V
35 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<68 Вт
<68 Вт
 
 
 
 
 
 
2.35 нФVds = 25V
2.35 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<7.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
52 нCVgs = 10V
69 нCVgs = 10V
 
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
<136 Вт
<136 Вт
<136 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.485 нФVds = 25V
1.8 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<50 А
<50 А
<50 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<14.4 мОмId, Vgs = 32A, 10V
<12.7 мОмId, Vgs = 34A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
64 нCVgs = 10V
64 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<100 Вт
<100 Вт
 
 
 
 
 
 
4.18 нФVds = 25V
4.18 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<15 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<15 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
55 нCVgs = 10V
55 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<58 Вт
<58 Вт
 
 
 
 
 
 
3.77 нФVds = 25V
3.77 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<10.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<10.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
CoolMOS™
CoolMOS™
23 нCVgs = 10V
23 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<83 Вт
<83 Вт
 
 
 
 
 
 
890 пФVds = 100V
890 пФVds = 100V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<550 В
<550 В
<9 А
<9 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<399 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
<399 мОмId, Vgs = 4.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
CoolMOS™
CoolMOS™
17 нCVgs = 10V
17 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<66 Вт
<66 Вт
 
 
 
 
 
 
680 пФVds = 100V
680 пФVds = 100V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<550 В
<550 В
<7.1 А
<7.1 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<520 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V
<520 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
22 нCVgs = 5V
22 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<83 Вт
<83 Вт
 
 
 
 
 
 
2.653 нФVds = 15V
2.653 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<5.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
CoolMOS™
CoolMOS™
31 нCVgs = 10V
31 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<66 Вт
<66 Вт
 
 
 
 
 
 
630 пФVds = 100V
630 пФVds = 100V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<650 В
<650 В
<6.8 А
<6.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<520 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V
<520 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies