MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
34 нCVgs = 10V
34 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.4 Вт
<2.4 Вт
 
 
 
 
 
 
1.56 нФVds = 20V
1.56 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<85 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<85 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
40 нCVgs = 10V
40 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.4 Вт
<2.4 Вт
 
 
 
 
 
 
2.225 нФVds = 20V
2.225 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<22 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
21 нCVgs = 10V
21 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.9 Вт
<1.9 Вт
 
 
 
 
 
 
1.1 нФVds = 20V
1.1 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<43 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<43 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
50 нCVgs = 10V
50 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<3.3 Вт
<3.3 Вт
 
 
 
 
 
 
3 нФVds = 10V
3 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<14 А
<14 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10 мОмId, Vgs = 14A, 10V
<10 мОмId, Vgs = 14A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<50 Вт
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
<90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
LDPAK
LDPAK
LDPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
11 нCVgs = 4.5V
11 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.05 Вт
<1.05 Вт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 10V
750 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4.4 А
<4.4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<65 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<65 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-TSOP
6-TSOP
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
105 нCVgs = 10V
105 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
5.7 нФVds = 10V
5.7 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<16 А
<16 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<7 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<7 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOP
8-SOP
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
155 нCVgs = 10V
155 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
9.5 нФVds = 10V
9.5 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<4.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<4.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
5LFPAK
5LFPAK
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
26 нCVgs = 10V
26 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.65 нФVds = 10V
1.65 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<14 А
<14 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<9 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<9 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOP
8-SOP
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
13 нCVgs = 10V
13 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
450 пФVds = 25V
450 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<440 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<440 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOP
8-SOP
Renesas Technology America
Renesas Technology America