MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
TrenchFET®
TrenchFET®
14 нCVgs = 4.5V
14 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<7 А
<7 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<22 мОмId, Vgs = 7A, 4.5V
<22 мОмId, Vgs = 7A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® 2x5
PowerPAK® 2x5
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
TrenchFET®
TrenchFET®
15 нCVgs = 4.5V
15 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<7.4 А
<7.4 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<19 мОмId, Vgs = 7.4A, 4.5V
<19 мОмId, Vgs = 7.4A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® 2x5
PowerPAK® 2x5
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
 
4.4 нCVgs = 10V
4.4 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
15 пФVds = 10V
15 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<2.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
<2.4 ОмId, Vgs = 200mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
16 нCVgs = 5V
16 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.4 нФVds = 10V
1.4 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<42 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<42 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
8.5 нCVgs = 5V
8.5 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
850 пФVds = 10V
850 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.5 А
<4.5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<56 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
<56 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
5.5 нCVgs = 5V
5.5 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<90 мОмId, Vgs = 3.5, 10V
<90 мОмId, Vgs = 3.5, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
2.4 нCVgs = 5V
2.4 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
190 пФVds = 10V
190 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<235 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<235 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
25 нCVgs = 5V
25 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
2.6 нФVds = 10V
2.6 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<7 А
<7 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<28 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
5.5 нCVgs = 5V
5.5 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
230 пФVds = 10V
230 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<51 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<51 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
10.1 нCVgs = 5V
10.1 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
520 пФVds = 10V
520 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<30 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor