MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HiPerFET™
HiPerFET™
180 нCVgs = 10V
180 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<25 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<25 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUS i4-PAC™
IXYS
IXYS
QFET™
QFET™
2.1 нCVgs = 5V
2.1 нCVgs = 5V
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1.3 А
<1.3 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<550 мОмId, Vgs = 650mA, 10V
<550 мОмId, Vgs = 650mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
QFET™
QFET™
7.5 нCVgs = 10V
7.5 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
210 пФVds = 25V
210 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<400 В
<400 В
<450 мА
<450 мА
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<4.2 ОмId, Vgs = 225mA, 10V
<4.2 ОмId, Vgs = 225mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
QFET™
QFET™
8.2 нCVgs = 10V
8.2 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
200 пФVds = 25V
200 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<370 мА
<370 мА
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<6.2 ОмId, Vgs = 185mA ,10V
<6.2 ОмId, Vgs = 185mA ,10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
21 нCVgs = 4.5V
21 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.3 Вт
<2.3 Вт
 
 
 
 
 
 
1.53 нФVds = 10V
1.53 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<23 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V
<23 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
23 нCVgs = 10V
23 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
1.04 нФVds = 20V
1.04 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<34 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<34 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
16 нCVgs = 10V
16 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
850 пФVds = 10V
850 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<33 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<33 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
18.1 нCVgs = 10V
18.1 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.8 Вт
<1.8 Вт
 
 
 
 
 
 
860 пФVds = 20V
860 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<37 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<37 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
 
 
Standard
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<85 В
<85 В
<85 В
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
Поверхностный монтаж
IXYS
IXYS
IXYS
 
 
 
90 нCVgs = 10V
90 нCVgs = 10V
90 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<90 А
<90 А
<90 А
 
 
 
 
 
 
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
<8.5 мОмId, Vgs = 80A. 10V
<8.5 мОмId, Vgs = 80A. 10V
<8.5 мОмId, Vgs = 80A. 10V
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
 
Through Hole
Through Hole
IXYS
IXYS
IXYS