MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
PowerTrench®
PowerTrench®
9 нCVgs = 4.5V
9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
650 пФVds = 10V
650 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6.5 А
<6.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<30 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
PowerTrench®
20 нCVgs = 4.5V
10 нCVgs = 4.5V
15 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
825 пФVds = 10V
600 пФVds = 10V
985 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<5 А
<3.8 А
<4.9 А
 
 
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<55 мОмId, Vgs = 3.2A, 4.5V
<75 мОмId, Vgs = 3.8A, 4.5V
<46 мОмId, Vgs = 4.9A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
9 нCVgs = 4.5V
9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
650 пФVds = 10V
650 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6.5 А
<6.5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<30 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
13 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<1 Вт
 
 
 
420 пФVds = 30V
 
 
 
 
 
<60 В
<3.5 А
 
 
2 N-Channel (Dual)
<100 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
3.5 нCVgs = 10V
3.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
185 пФVds = 15V
185 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<130 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
23 нCVgs = 10V
23 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
1.02 нФVds = 30V
1.02 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<105 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
<105 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
4.3 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<2.27 Вт
 
 
 
300 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
<62 В
<3.3 А
 
 
2 N-Channel (Dual)
<110 мОмId, Vgs = 3.3A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
1.286 нФVds = 10V
1.286 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5.5 А
<5.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<18 мОмId, Vgs = 5.5A, 4.5V
<18 мОмId, Vgs = 5.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
21 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
 
<600 мВт
 
 
 
1.465 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
<20 В
<4.4 А
 
 
2 P-Channel (Dual)
<35 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V
 
Поверхневий
8-TSSOP
Fairchild Semiconductor
PowerTrench®
PowerTrench®
17 нCVgs = 4.5V
17 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
1.286 нФVds = 10V
1.286 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5.5 А
<5.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<20 мОмId, Vgs = 5.5A, 4.5V
<20 мОмId, Vgs = 5.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor