MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
CoolMOS™
CoolMOS™
32 нCVgs = 10V
32 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<83 Вт
<83 Вт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 25V
750 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<560 В
<560 В
<7.6 А
<7.6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<600 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V
<600 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
13 нCVgs = 10V
13 нCVgs = 10V
13 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<42 Вт
<42 Вт
<42 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
420 пФVds = 25V
420 пФVds = 25V
420 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<8.83 А
<8.83 А
<8.83 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<300 мОмId, Vgs = 6.2A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 6.2A, 10V
<300 мОмId, Vgs = 6.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
21 нCVgs = 10V
21 нCVgs = 10V
21 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<42 Вт
<42 Вт
<42 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
450 пФVds = 25V
450 пФVds = 25V
450 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<9.7 А
<9.7 А
<9.7 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<250 мОмId, Vgs = 6.8A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 6.8A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 6.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
89.7 нCVgs = 10V
89.7 нCVgs = 10V
89.7 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<150 Вт
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.32 нФVds = 25V
3.32 нФVds = 25V
3.32 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<100 А
<100 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<4.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<4.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<4.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (4 leads + tab)
DPak, TO-252 (4 leads + tab)
DPak, TO-252 (4 leads + tab)
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
18.3 нCVgs = 10V
Standard
 
<50 Вт
 
 
 
400 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<100 В
<10.5 А
 
 
N-ch
<170 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
 
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
10 нCVgs = 10V
10 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<30 Вт
<30 Вт
 
 
 
 
 
 
400 пФVds = 25V
400 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<17 А
<17 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<80 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
13 нCVgs = 10V
13 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<47 Вт
<47 Вт
 
 
 
 
 
 
445 пФVds = 25V
445 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<19 А
<19 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<64 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<64 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
 
48 нCVgs = 10V
62 нCVgs = 10V
 
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
<128 Вт
<128 Вт
<128 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.28 нФVds = 25V
1.49 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<15 А
<15 А
<15 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
 
<240 мОмId, Vgs = 10.6A, 10V
<200 мОмId, Vgs = 11.3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SIPMOS®
SIPMOS®
SIPMOS®
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<80 Вт
<80 Вт
<80 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
860 пФVds = 25V
860 пФVds = 25V
860 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<18.6 А
<18.6 А
<18.6 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<130 мОмId, Vgs = 13.2A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 13.2A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 13.2A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
33 нCVgs = 10V
33 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<75 Вт
<75 Вт
 
 
 
 
 
 
850 пФVds = 25V
850 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<75 В
<75 В
<25 А
<25 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<50 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<50 мОмId, Vgs = 11A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies