MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
SIR496
SIR496DP-T1-GE3
 
 
42 нCVgs = 10V
42 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<27.7 Вт
<27.7 Вт
 
 
 
 
 
 
1.57 нФVds = 10V
1.57 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<35 А
<35 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<4.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIR840
SIR840DP-T1-GE3
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIR850
SIR850DP-T1-GE3
 
 
30 нCVgs = 10V
30 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<41.7 Вт
<41.7 Вт
 
 
 
 
 
 
1.12 нФVds = 15V
1.12 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<30 А
<30 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<7 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIR866
SIR866DP-T1-GE3
 
 
107 нCVgs = 10V
107 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<83 Вт
<83 Вт
 
 
 
 
 
 
4.73 нФVds = 10V
4.73 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<60 А
<60 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.9 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<1.9 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIR888
SIR888DP-T1-GE3
 
 
120 нCVgs = 10V
120 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<48 Вт
<48 Вт
 
 
 
 
 
 
5.065 нФVds = 15V
5.065 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.25 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<3.25 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIR890
SIR890DP-T1-GE3
 
 
60 нCVgs = 10V
60 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
2.747 нФVds = 10V
2.747 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.9 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<2.9 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIR892
SIR892DP-T1-GE3
 
 
60 нCVgs = 10V
60 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
2.645 нФVds = 10V
2.645 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.2 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<3.2 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIS402
SIS402DN-T1-GE3
 
 
42 нCVgs = 10V
42 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<5.2 Вт
<5.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.7 нФVds = 15V
1.7 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<35 А
<35 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6 мОмId, Vgs = 19A, 10V
<6 мОмId, Vgs = 19A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SIS426
SIS426DN-T1-GE3
 
 
42 нCVgs = 10V
42 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<52 Вт
<52 Вт
 
 
 
 
 
 
1.57 нФVds = 10V
1.57 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<35 А
<35 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.2 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<4.2 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
SN7002NE6327
SIPMOS®
1.5 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
 
<360 мВт
 
 
 
45 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<60 В
<200 мА
 
 
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
Поверхневий
SOT-23
Infineon Technologies