MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
RZF030P01
RZF030P01TL
 
 
18 нCVgs = 4.5V
18 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
1.86 нФVds = 6V
1.86 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<39 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<39 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT3
TUMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
RZL025P01
RZL025P01TR
 
 
13 нCVgs = 4.5V
13 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 6V
1.35 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT6
TUMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
RZL035P01
RZL035P01TR
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<3.5 А
<3.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT6
TUMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
RZQ045P01
RZQ045P01TR
 
 
31 нCVgs = 4.5V
31 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
2.45 нФVds = 6V
2.45 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<4.5 А
<4.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<35 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V
<35 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
RZQ050P01
RZQ050P01TR
 
 
35 нCVgs = 4.5V
35 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
2.85 нФVds = 6V
2.85 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<26 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
<26 мОмId, Vgs = 5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
RZR025P01
RZR025P01TL
 
 
13 нCVgs = 4.5V
13 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 6V
1.35 нФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<61 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT3
TSMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
RZR040P01
RZR040P01TL
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT3
TSMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
SCH1301
SCH1301-TL-E
 
 
6.5 нCVgs = 4.5V
6.5 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
450 пФVds = 6V
450 пФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<120 мОмId, Vgs = 1.3A, 4.5V
<120 мОмId, Vgs = 1.3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SCH1302
SCH1302-TL-E
 
 
10 нCVgs = 10V
10 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<800 мВт
<800 мВт
 
 
 
 
 
 
410 пФVds = 10V
410 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<165 мОмId, Vgs = 1A, 4V
<165 мОмId, Vgs = 1A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SCH2825
SCH2825-TL-E
 
 
2 нCVgs = 10V
2 нCVgs = 10V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<600 мВт
<600 мВт
 
 
 
 
 
 
88 пФVds = 10V
88 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1.6 А
<1.6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<180 мОмId, Vgs = 800mA, 10V
<180 мОмId, Vgs = 800mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co