MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
175 пФVds = 10V
175 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
175 пФVds = 10V
175 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
175 пФVds = 10V
175 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
175 пФVds = 10V
175 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
4.2 нCVgs = 4.5V
4.2 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 10V
325 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
4.2 нCVgs = 4.5V
4.2 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 10V
325 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
4.2 нCVgs = 4.5V
4.2 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 10V
325 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
4.2 нCVgs = 4.5V
4.2 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 10V
325 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
4.8 нCVgs = 4.5V
4.8 нCVgs = 4.5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
450 пФVds = 10V
450 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<125 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<125 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
3.4 нCVgs = 5V
3.4 нCVgs = 5V
Diode (Isolated)
Diode (Isolated)
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
310 пФVds = 10V
310 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<135 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<135 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor