Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
240 пФVds = 20V
240 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<630 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
<630 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 20V
325 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.295 нФVds = 10V
1.295 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6.5 А
<6.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<24 мОмId, Vgs = 3A, 4V
<24 мОмId, Vgs = 3A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
200 пФVds = 10V
200 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<145 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<145 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.23 нФVds = 10V
1.23 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<42 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<42 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
430 пФVds = 10V
430 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<59 мОмId, Vgs = 3A, 10V
<59 мОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
1.2 нФVds = 10V
1.2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<20 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
<20 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
325 пФVds = 20V
325 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
<220 мОмId, Vgs = 1A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
790 пФVds = 10V
790 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6 А
<6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<41 мОмId, Vgs = 3A, 4V
<41 мОмId, Vgs = 3A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<2.3 Вт
<2.3 Вт
 
 
 
 
 
 
340 пФVds = 12.5V
340 пФVds = 12.5V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<24 мОмId, Vgs = 4A, 8V
<24 мОмId, Vgs = 4A, 8V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
6-SON
6-SON
Texas Instruments
Texas Instruments