Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
 
<40 Вт
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
530 пФVds = 25V
530 пФVds = 25V
530 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<7 А
<5.5 А
<5.5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
<600 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
<600 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220AB
TO-220AB, TO-220AB
TO-220AB, TO-220
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<100 Вт
<100 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 25V
1.35 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<800 В
<800 В
<3.6 А
<3.6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3 ОмId, Vgs = 2A, 10V
<3 ОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220AB
TO-220AB
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
350 пФVds = 25V
350 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<360 мА
<360 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 ОмId, Vgs = 200mA, 0V
<4 ОмId, Vgs = 200mA, 0V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-89
SOT-89
Clare
Clare
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<350 В
<350 В
<350 В
<5 мА
<5 мА
<5 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Clare
Clare
Clare
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
300 пФVds = 0V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<415 В
<415 В
<415 В
<5 мА
<5 мА
<5 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
<14 ОмId, Vgs = 50mA, 350mV
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Clare
Clare
Clare
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
265 пФVds = 20V
265 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<530 мОмId, Vgs = 600mA, 10V
<530 мОмId, Vgs = 600mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
245 пФVds = 20V
245 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<600 мА
<600 мА
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<1.45 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<1.45 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.875 нФVds = 10V
1.875 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<4 мОмId, Vgs = 2.5A, 4V
<4 мОмId, Vgs = 2.5A, 4V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1.2 Вт
<1.2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.115 нФVds = 10V
1.115 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<45 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
405 пФVds = 6V
405 пФVds = 6V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<70 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<70 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co