Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
800 пФVds = 15V
800 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<7 А
<7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<22 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
600 пФVds = 15V
600 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5.7 А
<5.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 7.2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
<1.79 Вт
<1.79 Вт
<1.79 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5.89 нФVds = 25V
5.89 нФVds = 25V
5.89 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<12.6 А
<12.6 А
<12.6 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<8 мОмId, Vgs = 14.9A, 10V
<8 мОмId, Vgs = 14.9A, 10V
<8 мОмId, Vgs = 14.9A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
<2.35 Вт
<2.35 Вт
<2.35 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.754 нФVds = 25V
1.754 нФVds = 25V
1.754 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<8.9 А
<8.9 А
<8.9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<21 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
<21 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
<21 мОмId, Vgs = 8.9A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.28 нФVds = 25V
1.28 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<11.1 А
<11.1 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<13 мОмId, Vgs = 11.1A, 10V
<13 мОмId, Vgs = 11.1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
2.213 нФVds = 25V
2.213 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<13 А
<13 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.8 мОмId, Vgs = 13A, 10V
<7.8 мОмId, Vgs = 13A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.64 нФVds = 25V
1.64 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12.7 А
<12.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10 мОмId, Vgs = 12.7A, 10V
<10 мОмId, Vgs = 12.7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
875 пФVds = 25V
875 пФVds = 25V
875 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<3.44 А
<3.44 А
<3.44 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<130 мОмId, Vgs = 3.44A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 3.44A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 3.44A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<8.3 Вт
<8.3 Вт
 
 
 
 
 
 
770 пФVds = 24V
770 пФVds = 24V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<30 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<30 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<8.3 Вт
<8.3 Вт
 
 
 
 
 
 
250 пФVds = 20V
250 пФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3.2 А
<3.2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
<100 мОмId, Vgs = 2.2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors