Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
 
<830 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
25 пФVds = 10V
25 пФVds = 10V
25 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<173 мА
<173 мА
<173 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<15 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
<15 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
<15 ОмId, Vgs = 100mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
 
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 25V
120 пФVds = 25V
120 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 В
<250 В
<250 В
<310 мА
<310 мА
<310 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<5 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<5 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 25V
120 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6 ОмId, Vgs = 250mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 250mA, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
9.6 нФVds = 15V
9.6 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<17 А
<17 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<3.3 мОмId, Vgs = 22A, 10V
<3.3 мОмId, Vgs = 22A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
5.7 нФVds = 15V
5.7 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<16 А
<16 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<4 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
4.3 нФVds = 15V
4.3 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<14 А
<14 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.1 мОмId, Vgs = 18A, 10V
<5.1 мОмId, Vgs = 18A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
5.53 нФVds = 15V
5.53 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<14 А
<14 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.2 мОмId, Vgs = 17A, 10V
<5.2 мОмId, Vgs = 17A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
3.62 нФVds = 15V
3.62 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12 А
<12 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6.4 мОмId, Vgs = 16A, 10V
<6.4 мОмId, Vgs = 16A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
3.1 нФVds = 15V
3.1 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<13 А
<13 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6.5 мОмId, Vgs = 16A, 10V
<6.5 мОмId, Vgs = 16A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies
 
 
<1.56 Вт
<1.56 Вт
 
 
 
 
 
 
3.23 нФVds = 15V
3.23 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12 А
<12 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<6.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DSO-8
DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies