Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<1.136 кВт
<1.136 кВт
 
 
 
 
 
 
22.4 нФVds = 25V
22.4 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<163 А
<163 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<19 мОмId, Vgs = 81.5A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 81.5A, 10V
 
 
На шасі/провід
На шасі/провід
J3 Module
J3 Module
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG
 
 
<1.25 кВт
<1.25 кВт
 
 
 
 
 
 
17.5 нФVds = 25V
17.5 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<149 А
<149 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<25 мОмId, Vgs = 74.5A, 10V
<25 мОмId, Vgs = 74.5A, 10V
 
 
На шасі/провід
На шасі/провід
J3 Module
J3 Module
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.49 нФVds = 10V
1.49 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<18.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<18.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
3.95 нФVds = 10V
3.95 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<8.4 мОмId, Vgs = 38A, 10V
<8.4 мОмId, Vgs = 38A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.38 нФVds = 20V
1.38 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<30 А
<30 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<25 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<25 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
3.85 нФVds = 20V
3.85 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<70 А
<70 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<10.4 мОмId, Vgs = 35A, 10V
<10.4 мОмId, Vgs = 35A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<35 А
<35 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
1.65 нФVds = 10V
1.65 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<50 А
<50 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<12 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<12 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<50 Вт
<50 Вт
 
 
 
 
 
 
2.75 нФVds = 10V
2.75 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8.2 мОмId, Vgs = 38A, 10V
<8.2 мОмId, Vgs = 38A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
 
 
<60 Вт
<60 Вт
 
 
 
 
 
 
4.6 нФVds = 10V
4.6 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.6 мОмId, Vgs = 50A, 10V
<5.6 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co