Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
<2.5 Вт
 
 
 
739 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
<80 В
<2 А
 
 
2 P-Channel (Dual)
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
460 пФVds = 25V
460 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<145 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<145 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
815 пФVds = 25V
815 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<80 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
630 пФVds = 25V
630 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<120 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<120 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.03 нФVds = 25V
1.03 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<55 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<55 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
330 пФVds = 25V
330 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<50 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<50 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.03 нФVds = 25V
1.03 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<55 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<55 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 25V
1.35 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<80 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC
8-SOIC
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
1.35 нФVds = 25V
1.35 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4 А
<4 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<80 мОмId, Vgs = 2A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
460 пФVds = 25V
460 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<40 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<40 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
STMicroelectronics
STMicroelectronics