Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
<900 мВт
 
 
 
1.54 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
<30 В
<6 А
 
 
2 P-Channel (Dual)
<32 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
760 пФVds = 10V
610 пФVds = 10V
2.04 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<6.3 А
<6.3 А
<6.3 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<28 мОмId, Vgs = 6.3A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 6.3A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 6.3A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
420 пФVds = 15V
1.233 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
 
<5.5 А
<8.5 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
 
<31 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V
<19 мОмId, Vgs = 8.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
550 пФVds = 10V
550 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6.5 А
<6.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<29 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
<29 мОмId, Vgs = 6.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
<900 мВт
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.235 нФVds = 15V
550 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<7.5 А
<7.5 А
<7.5 А
 
 
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
 
<18 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
<900 мВт
 
 
 
530 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
<4.3 А
 
 
2 P-Channel (Dual)
<55 мОмId, Vgs = 4.3A, 10V
 
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
800 пФVds = 15V
800 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<6.9 А
<6.9 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<21 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
<21 мОмId, Vgs = 6.9A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
282 пФVds = 10V
282 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.1 А
<4.1 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<80 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
<80 мОмId, Vgs = 4.1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
1.205 нФVds = 15V
1.205 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<8.6 А
<8.6 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<17 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V
<17 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
900 пФVds = 10V
900 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5.5 А
<5.5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<30 мОмId, Vgs = 5.5A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 5.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9мм ширина)
8-SOIC (3.9мм ширина)
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor