Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<3 Вт
<3 Вт
 
 
 
 
 
 
4.2 нФVds = 25V
4.2 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<20 А
<20 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.2 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<4.2 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<70 Вт
<70 Вт
 
 
 
 
 
 
1.65 нФVds = 25V
1.65 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<25 А
<25 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10.5 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
<10.5 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<3 Вт
<3 Вт
 
 
 
 
 
 
965 пФVds = 25V
965 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<12 А
<12 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10.5 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<10.5 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<3 Вт
<3 Вт
 
 
 
 
 
 
1.81 нФVds = 25V
1.81 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<15 А
<15 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.7 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
<5.7 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
313 пФVds = 25V
313 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
<250 мОмId, Vgs = 1A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
315 пФVds = 15V
315 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<2.2 А
<2.2 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<200 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
420 пФVds = 25V
420 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<165 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
<165 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
500 пФVds = 15V
500 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<110 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<110 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<1.6 Вт
<1.6 Вт
 
 
 
 
 
 
412 пФVds = 15V
412 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<80 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
<80 мОмId, Vgs = 2.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
STMicroelectronics
STMicroelectronics
 
 
<90 Вт
<90 Вт
 
 
 
 
 
 
850 пФVds = 50V
850 пФVds = 50V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<650 В
<650 В
<9 А
<9 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<480 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
<480 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
STMicroelectronics
STMicroelectronics