Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
18 пФVds = 10V
18 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.3 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V
<2.3 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
24 пФVds = 10V
24 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.1 ОмId, Vgs = 300mA, 4.5V
<1.1 ОмId, Vgs = 300mA, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<20 Вт
<20 Вт
 
 
 
 
 
 
520 пФVds = 10V
520 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<150 мОмId, Vgs = 4A, 10V
<150 мОмId, Vgs = 4A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
<200 мВт
<225 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
33 пФVds = 10V
50 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
 
<300 мА
<115 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<1 ОмId, Vgs = 300mA, 10V
<7.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2.5 А
<2.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TUMT6
TUMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<4.5 А
<4.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<3 А
<3 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT3
TSMT3
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
900 пФVds = 10V
900 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<7 А
<7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<28 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
2 нФVds = 10V
2 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<11 А
<11 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<12.6 мОмId, Vgs = 11A, 10V
<12.6 мОмId, Vgs = 11A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor