Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<306 Вт
<306 Вт
 
 
 
 
 
 
8.4 нФVds = 40V
8.4 нФVds = 40V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.1 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<4.1 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220AB-3
TO-220AB-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<148 Вт
<148 Вт
 
 
 
 
 
 
2.683 нФVds = 12V
2.683 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<4.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220AB-3
TO-220AB-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
 
 
<61 Вт
<270 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.76 нФVds = 12V
6.793 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<80 В
 
<84 А
<100 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<4.7 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
 
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
LFPak-4
TO-220AB-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<55 Вт
<55 Вт
 
 
 
 
 
 
1.425 нФVds = 12V
1.425 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<73 А
<73 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<6 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<6 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<51 Вт
<51 Вт
 
 
 
 
 
 
1.27 нФVds = 12V
1.27 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<65 А
<65 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<7 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<86 Вт
<86 Вт
 
 
 
 
 
 
1.262 нФVds = 12V
1.262 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<77 А
<77 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<7.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220AB-3
TO-220AB-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<130 Вт
<130 Вт
 
 
 
 
 
 
3.64 нФVds = 40V
3.64 нФVds = 40V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<82 А
<82 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<8.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<74 Вт
<74 Вт
 
 
 
 
 
 
1.215 нФVds = 20V
1.215 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<70 А
<70 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8.6 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<8.6 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<46 Вт
<46 Вт
 
 
 
 
 
 
1.006 нФVds = 12V
1.006 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<55 А
<55 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<8 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<900 мВт
<900 мВт
 
 
 
 
 
 
175 пФVds = 10V
175 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor