Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<113 Вт
<113 Вт
 
 
 
 
 
 
1.529 нФVds = 30V
1.529 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<43 А
<43 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<59 мОмId, Vgs = 12A, 10V
<59 мОмId, Vgs = 12A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
 
 
2.39 нФVds = 25V
2.39 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<29 А
<29 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<63 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<63 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
 
<250 Вт
<250 Вт
<250 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.57 нФVds = 25V
4.57 нФVds = 25V
4.57 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<35 А
<35 А
<35 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<70 мОмId, Vgs = 17A, 10V
<70 мОмId, Vgs = 17A, 10V
<70 мОмId, Vgs = 17A, 10V
 
 
 
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
TO-220AB-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<3.5 Вт
<3.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.31 нФVds = 25V
1.31 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<4.1 А
<4.1 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<85 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
<85 мОмId, Vgs = 3.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<113 Вт
<113 Вт
 
 
 
 
 
 
1.568 нФVds = 30V
1.568 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<21.5 А
<21.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<102 мОмId, Vgs = 12A, 10V
<102 мОмId, Vgs = 12A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
 
 
2.47 нФVds = 25V
2.47 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<20 А
<20 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<130 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<130 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<3.5 Вт
<3.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.33 нФVds = 25V
1.33 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<2.9 А
<2.9 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<165 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
<165 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<121 Вт
<121 Вт
 
 
 
 
 
 
6.38 нФVds = 12V
6.38 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.2 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<1.2 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK (4 leads + tab)
LFPAK (4 leads + tab)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<121 Вт
<121 Вт
 
 
 
 
 
 
6.227 нФVds = 12V
6.227 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.3 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<1.3 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPAK (4 leads + tab)
LFPAK (4 leads + tab)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<109 Вт
<109 Вт
 
 
 
 
 
 
4.83 нФVds = 12V
4.83 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<100 А
<100 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
<1.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
LFPak-4
LFPak-4
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors