Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
Від
До
2SK4097
2SK4097LS
 
 
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
750 пФVds = 30V
750 пФVds = 30V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<9.5 А
<9.5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<650 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<650 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SK4103
2SK4103(TE16L1,NQ)
 
 
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<1.5 ОмId, Vgs = 5A, 10V
<1.5 ОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
PW-Mold
PW-Mold
Toshiba
Toshiba
2SK4105
2SK4105(Q,T)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<8 А
<8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-220
TO-220
Toshiba
Toshiba
2SK4107
2SK4107(F,T)
 
 
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
 
 
2.45 нФVds = 25V
2.45 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<15 А
<15 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 7A, 10V
<400 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-16C1B (TO-247 N)
2-16C1B (TO-247 N)
Toshiba
Toshiba
2SK4108
2SK4108(F,T)
 
 
<150 Вт
<150 Вт
 
 
 
 
 
 
3.4 нФVds = 25V
3.4 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 В
<500 В
<20 А
<20 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<270 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<270 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-16C1B (TO-247 N)
2-16C1B (TO-247 N)
Toshiba
Toshiba
2SK4111
2SK4111(Q,T)
 
 
<45 Вт
<45 Вт
 
 
 
 
 
 
1.5 нФVds = 25V
1.5 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<600 В
<600 В
<10 А
<10 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<750 мОмId, Vgs = 5A, 10V
<750 мОмId, Vgs = 5A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-10R1B
2-10R1B
Toshiba
Toshiba
2SK4114
2SK4114(Q,T)
 
 
<45 Вт
<45 Вт
 
 
 
 
 
 
1.15 нФVds = 25V
1.15 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<900 В
<900 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<2.5 ОмId, Vgs = 3A, 10V
<2.5 ОмId, Vgs = 3A, 10V
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
2-10R1B
2-10R1B
Toshiba
Toshiba
2SK4124
 
<2.5 Вт
 
 
 
1.2 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
<500 В
<20 А
 
 
N-ch
<430 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
Крізь отвір
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SK4125
 
<2.5 Вт
 
 
 
1.2 нФVds = 30V
 
 
 
 
 
<600 В
<17 А
 
 
N-ch
<610 мОмId, Vgs = 7A, 10V
 
Крізь отвір
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2SK4171
 
<1.75 Вт
 
 
 
6.9 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
<60 В
<100 А
 
 
N-ch
<7.2 мОмId, Vgs = 50A, 10V
 
Крізь отвір
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co