Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
<136 Вт
<136 Вт
 
 
 
 
 
 
1.62 нФVds = 25V
1.62 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<8 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<115 Вт
<115 Вт
 
 
 
 
 
 
2.2 нФVds = 25V
2.2 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.95 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<4.95 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<111 Вт
<111 Вт
 
 
 
 
 
 
3 нФVds = 20V
3 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<75 А
<75 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<5.9 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<5.9 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<88 Вт
<88 Вт
 
 
 
 
 
 
959 пФVds = 25V
959 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<8.7 А
<8.7 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
<400 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<5 Вт
<5 Вт
 
 
 
 
 
 
528 пФVds = 12.8V
528 пФVds = 12.8V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<16 В
<16 В
<4.66 А
<4.66 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<120 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<120 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
1.335 нФVds = 16V
1.335 нФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<11.8 А
<11.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10.5 мОмId, Vgs = 12A, 10V
<10.5 мОмId, Vgs = 12A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<8.9 Вт
<8.9 Вт
 
 
 
 
 
 
1.965 нФVds = 25V
1.965 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<11.6 А
<11.6 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<28 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<28 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<6.25 Вт
<6.25 Вт
 
 
 
 
 
 
752 пФVds = 15V
752 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<13.8 А
<13.8 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V
<20 мОмId, Vgs = 8A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<6.25 Вт
<6.25 Вт
 
 
 
 
 
 
1.38 нФVds = 12V
1.38 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<20.3 А
<20.3 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<8.9 мОмId, Vgs = 25A, 10V
<8.9 мОмId, Vgs = 25A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
 
 
<6.25 Вт
<6.25 Вт
 
 
 
 
 
 
2.985 нФVds = 25V
2.985 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<21.2 А
<21.2 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<7.7 мОмId, Vgs = 14A, 10V
<7.7 мОмId, Vgs = 14A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-SOIC (3.9mm Width)
8-SOIC (3.9mm Width)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors