Польові транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 25177 компонентів
ЗображенняІм'яNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
 
 
 
<890 мВт
<890 мВт
<890 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.72 нФVds = 12V
3.72 нФVds = 12V
3.72 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<13.7 А
<13.7 А
<13.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<2.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<2.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<890 мВт
<890 мВт
<890 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.25 нФVds = 12V
3.25 нФVds = 12V
3.25 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<12.7 А
<12.7 А
<12.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<3.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<3.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<880 мВт
<880 мВт
<880 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.614 нФVds = 12V
2.614 нФVds = 12V
2.614 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<11.5 А
<11.5 А
<11.5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<4.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<4.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<4.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<870 мВт
<870 мВт
<870 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.04 нФVds = 12V
2.04 нФVds = 12V
2.04 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<10.2 А
<10.2 А
<10.2 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<5.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<5.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<5.1 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
<870 мВт
<870 мВт
<870 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.85 нФVds = 12V
1.85 нФVds = 12V
1.85 нФVds = 12V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<9.5 А
<9.5 А
<9.5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<5.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<5.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
<5.9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
6-DFN, SO8 FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<93 А
<93 А
<93 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SO-8FL
SO-8FL
SO-8FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<79 А
<79 А
<79 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SO-8FL
SO-8FL
SO-8FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<70 А
<70 А
<70 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SO-8FL
SO-8FL
SO-8FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<53 А
<53 А
<53 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SO-8FL
SO-8FL
SO-8FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<47 А
<47 А
<47 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
 
 
 
 
 
 
 
 
SO-8FL
SO-8FL
SO-8FL
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor