Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1026 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівhFE2IC2fh212P2P1dBKdBUCEO2P1dBICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<225 мВт
<225 мВт
 
 
>605mA, 10V
>605mA, 10V
 
 
 
 
 
 
600 МГц
600 МГц
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
15 дБ
15 дБ
15 дБ
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<500 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>253mA, 10V
>253mA, 1V
>253mA, 1V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2 ГГц
2 ГГц
2 ГГц
 
 
 
5 дБ200MHz
5 дБ200MHz
5 дБ200MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>604mA, 10V
>604mA, 10V
>604mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
650 МГц
650 МГц
650 МГц
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>604mA, 10V
>604mA, 10V
 
 
 
 
 
 
650 МГц
650 МГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
24 дБ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>255mA, 10V
>255mA, 10V
>255mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
800 МГц
800 МГц
800 МГц
 
 
 
6 дБ200MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>605mA, 10V
>605mA, 10V
>605mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 МГц
600 МГц
600 МГц
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
2
 
 
 
 
 
8 дБ ~ 10 дБ
 
 
<16 А
 
 
<30 В
<270 Вт
 
>401A, 5V
 
 
 
500 МГц
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
744A-01
Freescale Semiconductor
1
 
 
 
 
 
13.5 дБ
 
 
<400 мА
 
 
<70 В
<3.5 Вт
 
>1550mA, 6V
 
 
 
1.5 ГГц
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
 
Microsemi-PPG
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
11.5 дБ ~ 13 дБ
11.5 дБ ~ 13 дБ
 
 
 
 
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<16 В
<16 В
<3 Вт
<3 Вт
 
 
>30250mA, 5V
>30250mA, 5V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
11 дБ ~ 12.5 дБ
11 дБ ~ 12.5 дБ
 
 
 
 
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<16 В
<16 В
<3 Вт
<3 Вт
 
 
>50100mA, 5V
>50100mA, 5V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
Microsemi-PPG
Microsemi-PPG