Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1026 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівhFE2IC2fh212P2P1dBKdBUCEO2P1dBICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
1
 
 
 
 
 
 
 
<50 мА
 
 
<25 В
<350 мВт
 
>604mA, 10V
 
 
 
650 МГц
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
5
5
5
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<65 мА
<65 мА
<65 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<150 мВт
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
>4010mA, 2V
>4010mA, 2V
>4010mA, 2V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
8 ГГц
 
 
 
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
Intersil
Intersil
Intersil
5
5
5
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
 
 
 
<65 мА
<65 мА
<65 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<150 мВт
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
>4010mA, 2V
>4010mA, 2V
>4010mA, 2V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
8 ГГц
 
 
 
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
NPN+PNP
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
16-SOIC (3.9мм ширина)
16-SOIC (3.9мм ширина)
16-SOIC (3.9мм ширина)
Intersil
Intersil
Intersil
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
17.5 дБ ~ 12.4 дБ
17.5 дБ ~ 12.4 дБ
17.5 дБ ~ 12.4 дБ
 
 
 
 
 
 
<30 мА
<30 мА
<30 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<250 мВт
<250 мВт
<250 мВт
 
 
 
>4010mA, 3V
>4010mA, 3V
>4010mA, 3V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
10 ГГц
10 ГГц
10 ГГц
 
 
 
1.8 дБ ~ 2.1 дБ500MHz ~ 1GHz
1.8 дБ ~ 2.1 дБ500MHz ~ 1GHz
1.8 дБ ~ 2.1 дБ500MHz ~ 1GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
Intersil
Intersil
Intersil
5
5
5
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<65 мА
<65 мА
<65 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<150 мВт
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
>2010mA, 2V
>2010mA, 2V
>2010mA, 2V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
8 ГГц
 
 
 
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
16-SOIC (3.9мм ширина)
16-SOIC (3.9мм ширина)
Intersil
Intersil
Intersil
5
5
5
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<65 мА
<65 мА
<65 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<150 мВт
<150 мВт
<150 мВт
 
 
 
 
>201mA, 3.5V
>201mA, 3.5V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
8 ГГц
 
 
 
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
3.5 дБ1GHz
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
 
16-SOIC (3.9мм ширина)
16-SOIC (3.9мм ширина)
Intersil
Intersil
Intersil
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<14 мА
<14 мА
<14 мА
 
 
 
 
 
 
<9 В
<9 В
<9 В
 
 
 
 
 
 
>4810mA, 2V
>4810mA, 2V
>4810mA, 2V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8.5 ГГц
8.5 ГГц
8.5 ГГц
 
 
 
2.4 дБ1GHz
2.4 дБ1GHz
2.4 дБ1GHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
Intersil
Intersil
Intersil
2
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<14 мА
<14 мА
<14 мА
 
 
 
 
 
 
<9 В
<9 В
<9 В
 
 
 
 
 
 
>4810mA, 2V
>4810mA, 2V
>4810mA, 2V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8.5 ГГц
8.5 ГГц
8.5 ГГц
 
 
 
2.4 дБ1GHz
2.4 дБ1GHz
2.4 дБ1GHz
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
Intersil
Intersil
Intersil
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.95 дБ
1.95 дБ
 
 
 
 
<35 мА
<35 мА
 
 
 
 
<3.5 В
<3.5 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>1005mA, 2V
>1005mA, 2V
 
 
 
 
 
 
38 ГГц
38 ГГц
 
 
1.2 дБ ~ 1.8 дБ5.8GHz
1.2 дБ ~ 1.8 дБ5.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
4-MFP
4-MFP
Renesas Technology America
Renesas Technology America
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor