Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1026 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівhFE2IC2fh212P2P1dBKdBUCEO2P1dBICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 мА
<250 мА
 
 
 
 
<8 В
<8 В
<2.1 Вт
<2.1 Вт
 
 
>25100mA, 4.8V
>25100mA, 4.8V
 
 
 
 
 
 
900 МГц
900 МГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<250 мА
<250 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<2 Вт
<2 Вт
 
 
>25150mA, 5V
>25150mA, 5V
 
 
 
 
 
 
900 МГц
900 МГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6.5 дБ
6.5 дБ
 
 
 
 
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<9.5 В
<9.5 В
<2 Вт
<2 Вт
 
 
>25300mA, 5V
>25300mA, 5V
 
 
 
 
 
 
900 МГц
900 МГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
5
5
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
27 дБ ~ 30 дБ
27 дБ ~ 30 дБ
 
 
 
 
<20 мА
<20 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<85 мВт
<85 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.15 ГГц
1.15 ГГц
 
 
2.2 дБ100KHz
2.2 дБ100KHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
16-SOIC (3.9мм ширина)
16-SOIC (3.9мм ширина)
Intersil
Intersil
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>1550mA, 5V
>1550mA, 5V
 
 
 
 
 
 
1.5 ГГц
1.5 ГГц
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1 Вт
<1 Вт
 
 
>10050mA, 5V
>10050mA, 5V
 
 
 
 
 
 
2.2 ГГц
2.2 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<900 мВт
<900 мВт
 
 
>10050mA, 5V
>10050mA, 5V
 
 
 
 
 
 
2.2 ГГц
2.2 ГГц
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
15 дБ
15 дБ
15 дБ
 
 
 
 
 
 
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<330 мВт
<330 мВт
<330 мВт
 
 
 
>253mA, 1V
>253mA, 1V
>253mA, 1V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2 ГГц
2 ГГц
2 ГГц
 
 
 
4.5 дБ200MHz
4.5 дБ200MHz
4.5 дБ200MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<330 мВт
<330 мВт
<330 мВт
 
 
 
>203mA, 1V
>203mA, 1V
>203mA, 1V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
600 МГц
600 МГц
600 МГц
 
 
 
6 дБ60MHz
6 дБ60MHz
6 дБ60MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
1
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<25 мА
<25 мА
<25 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<330 мВт
<330 мВт
<330 мВт
 
 
 
>604mA, 10V
>604mA, 10V
>604mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
650 МГц
650 МГц
650 МГц
 
 
 
3 дБ ~ 5 дБ500MHz
3 дБ ~ 5 дБ500MHz
3 дБ ~ 5 дБ500MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex
Diodes/Zetex