Високочастотні - Elcomps.com
Всього знайдено 1026 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівhFE2IC2fh212P2P1dBKdBUCEO2P1dBICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
Від
До
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<6.5 мА
<6.5 мА
 
 
 
 
<5 В
<5 В
<32 мВт
<32 мВт
 
 
>50500µA, 1V
>50500µA, 1V
 
 
 
 
 
 
5 ГГц
5 ГГц
 
 
1.8 дБ ~ 2 дБ1GHz
1.8 дБ ~ 2 дБ1GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14.5 дБ ~ 10 дБ
14.5 дБ ~ 10 дБ
 
 
9 dBm
9 dBm
<35 мА
<35 мА
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<210 мВт
<210 мВт
 
 
>6015mA, 3V
>6015mA, 3V
 
 
 
 
 
 
14 ГГц
14 ГГц
 
 
1 дБ ~ 1.5 дБ1.8GHz ~ 3GHz
1 дБ ~ 1.5 дБ1.8GHz ~ 3GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSLP-6-1
TSLP-6-1
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
12 дБ ~ 8 дБ
12 дБ ~ 8 дБ
 
 
11.5 dBm
11.5 dBm
<80 мА
<80 мА
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<380 мВт
<380 мВт
 
 
>6040mA, 3V
>6040mA, 3V
 
 
 
 
 
 
14 ГГц
14 ГГц
 
 
1.3 дБ ~ 1.9 дБ1.8GHz ~ 3GHz
1.3 дБ ~ 1.9 дБ1.8GHz ~ 3GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSLP-6-1
TSLP-6-1
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
2
 
 
<80 мА
<80 мА
 
 
<380 мВт
<380 мВт
 
 
14.5 дБ ~ 10 дБ
14.5 дБ ~ 10 дБ
 
 
9 dBm
9 dBm
<35 мА
<35 мА
 
 
 
 
<6 В
<6 В
<210 мВт
<210 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14 ГГц
14 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSLP-6-1
TSLP-6-1
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14.5 дБ ~ 10 дБ
14.5 дБ ~ 10 дБ
 
 
12 dBm
12 dBm
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<4.5 В
<4.5 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>9020mA, 3V
>9020mA, 3V
 
 
 
 
 
 
22 ГГц
22 ГГц
 
 
1.1 дБ ~ 1.4 дБ1.8GHz ~ 3GHz
1.1 дБ ~ 1.4 дБ1.8GHz ~ 3GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSLP-6-1
TSLP-6-1
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
2
 
 
<35 мА
<35 мА
14 ГГц
14 ГГц
<210 мВт
<210 мВт
 
 
14.5 дБ ~ 10 дБ
14.5 дБ ~ 10 дБ
<6 В
<6 В
 
 
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<4.5 В
<4.5 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
22 ГГц
22 ГГц
 
 
1.1 дБ ~ 1.4 дБ1.8GHz ~ 3GHz
1.1 дБ ~ 1.4 дБ1.8GHz ~ 3GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSLP-6-1
TSLP-6-1
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
2
 
 
<70 мА
<70 мА
 
 
<250 мВт
<250 мВт
 
 
<10 В
<10 В
12 dBm
12 dBm
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<4.5 В
<4.5 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSLP-6-1
TSLP-6-1
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
20 дБ
20 дБ
 
 
 
 
<20 мА
<20 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<175 мВт
<175 мВт
 
 
>705mA, 8V
>705mA, 8V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz ~ 1.8GHz
900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
19 дБ
19 дБ
 
 
 
 
<65 мА
<65 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<450 мВт
<450 мВт
 
 
>7015mA, 8V
>7015mA, 8V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
900 мдБ ~ 1.4 дБ900MHz ~ 1.8GHz
900 мдБ ~ 1.4 дБ900MHz ~ 1.8GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Infineon Technologies
Infineon Technologies
1
1
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
17 дБ ~ 10 дБ
17 дБ ~ 10 дБ
 
 
4 dBm
4 dBm
<18 мА
<18 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>605mA, 6V
>605mA, 6V
 
 
 
 
 
 
9 ГГц
9 ГГц
 
 
1.2 дБ ~ 1.7 дБ900MHz
1.2 дБ ~ 1.7 дБ900MHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors