Одиночні pre-biased - Elcomps.com
Всього знайдено 2834 компонентів
ЗображенняІм'яRBRE-BICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
10 кОм
10 кОм
10 кОм
 
10 кОм
10 кОм
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<200 мВт
<300 мВт
 
 
 
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Крізь отвір
 
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-72-3, SPT
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
220 Ом
220 Ом
4.7 кОм
4.7 кОм
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>47Ic, Vce = 50mA, 5V
>47Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2.2 кОм
2.2 кОм
2.2 кОм
 
2.2 кОм
 
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>39Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
3.3 кОм
3.3 кОм
1.1 кОм
1.1 кОм
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
>56Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
4.7 кОм
4.7 кОм
4.7 кОм
 
4.7 кОм
 
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<40 В
<200 мВт
<200 мВт
<200 мВт
 
 
 
 
>47Ic, Vce = 50mA, 5V
>100Ic, Vce = 50mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 2.5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
10 кОм
10 кОм
 
 
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<500 мВт
<500 мВт
 
 
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 500mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 500mA
 
 
 
 
<80 МГц
<80 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2.2 кОм
2.2 кОм
22 кОм
22 кОм
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<1.5 Вт
<1.5 Вт
 
 
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 500mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 500mA
 
 
 
 
<80 МГц
<80 МГц
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
10 кОм
10 кОм
10 кОм
10 кОм
10 кОм
10 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>30Ic, Vce = 5mA, 5V
>30Ic, Vce = 5mA, 5V
>30Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
22 кОм
22 кОм
22 кОм
22 кОм
22 кОм
22 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
>56Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
47 кОм
47 кОм
47 кОм
47 кОм
47 кОм
47 кОм
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
>68Ic, Vce = 5mA, 5V
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<250 МГц
<250 МГц
<250 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
NPN Pre-Biased
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor