Збірки біполярних транзисторів - Elcomps.com
Всього знайдено 862 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
2
2
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<300 мВт
<300 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
2
<150 мА
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<250 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<250 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<250 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 мА
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<300 мВт
<300 мВт
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
2
<150 мА
<150 мА
<150 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
 
<180 мВт
<300 мВт
 
 
 
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
>120Ic, Vce = 1mA, 6V
 
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
 
NPN+PNP
NPN+PNP
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>300Ic, Vce = 10mA, 2V
>300Ic, Vce = 10mA, 2V
<300 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
<300 мВIb, Ic = 10mA, 200mA
 
 
 
 
<490 МГц
<490 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2
2
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<400 мВт
<400 мВт
 
 
>300Ic, Vce = 50mA, 2V
>300Ic, Vce = 50mA, 2V
<280 мВIb, Ic = 20mA, 400mA
<280 мВIb, Ic = 20mA, 400mA
 
 
 
 
<440 МГц
<440 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
2
2
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<330 мВт
<330 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
<300 МГц
<300 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-23-6
SOT-23-6
Infineon Technologies
Infineon Technologies
2
<200 мА
 
 
<40 В
<330 мВт
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
<300 МГц
 
 
NPN+PNP
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Infineon Technologies
2
<200 мА
 
 
<40 В
<330 мВт
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
<300 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Infineon Technologies
2
<200 мА
 
 
<40 В
<330 мВт
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
<300 МГц
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
SC-74-6
Infineon Technologies