Збірки MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 2269 компонентів
ЗображенняІм'яЕлементівIDSS2P2СеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
2
2
 
 
 
 
TrenchMOS™
TrenchMOS™
11.6 нCVgs = 4.5V
11.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<4.2 Вт
<4.2 Вт
 
 
 
 
 
 
740 пФVds = 16V
740 пФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<10.4 А
<10.4 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<22 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V
<22 мОмId, Vgs = 4.2A, 10V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
 
 
 
 
TrenchMOS™
TrenchMOS™
23.6 нCVgs = 4.5V
23.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<3.1 Вт
<3.1 Вт
 
 
 
 
 
 
1.366 нФVds = 16V
1.366 нФVds = 16V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<7.8 А
<7.8 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<30 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
<30 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
 
 
 
 
TrenchMOS™
TrenchMOS™
28 нCVgs = 5V
28 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<2.3 Вт
<2.3 Вт
 
 
 
 
 
 
1.478 нФVds = 10V
1.478 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<5 А
<5 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<33 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
<33 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
8-TSSOP
8-TSSOP
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
2
2
 
 
 
 
 
 
3.9 нCVgs = 4.5V
3.9 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
175 пФVds = 10V
175 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<2 А
<2 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
<100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT5
TSMT5
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
 
 
 
 
 
 
3 нCVgs = 4.5V
3 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
270 пФVds = 10V
270 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<215 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<215 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
 
 
 
 
 
 
3 нCVgs = 4.5V
3 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
270 пФVds = 10V
270 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
2 P-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
<215 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<215 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
 
 
 
 
 
 
2.4 нCVgs = 4.5V
2.4 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
77 пФVds = 10V
77 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
<238 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
<238 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
 
 
 
 
 
 
 
 
Standard
Standard
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<1 А
<1 А
 
 
 
 
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
 
 
 
 
 
 
1.6 нCVgs = 4.5V
1.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
80 пФVds = 10V
80 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<230 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<230 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
2
2
 
 
 
 
 
 
1.6 нCVgs = 4.5V
1.6 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<1.25 Вт
<1.25 Вт
 
 
 
 
 
 
80 пФVds = 10V
80 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
N and P-Channel
N and P-Channel
<230 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<230 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
TSMT6
TSMT6
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor