На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NCP584HSN09T1 | NCP584HSN09T1G | NCP584HSN12T1 | NCP584HSN12T1G | NCP584HSN15T1G | NCP584HSN18T1 | NCP584HSN18T1G | NCP584HSN25T1G | NCP584HSN26T1G | NCP584HSN28T1G | NCP584HSN30T1G | NCP584HSN31T1G | NCP584HSN33T1G | NCP584LSN09T1 | NCP584LSN09T1G | NCP584LSN12T1 | NCP584LSN12T1G | NCP584LSN18T1 | NCP584LSN18T1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-5, SOT-25 | ||||||||||||||||||
Серія мікросхем | Серія | |||||||||||||||||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
Робоча температура | twork | -40 ~ 85 | ||||||||||||||||||
Вихідна напруга | Uout | 900 мВ | 900 мВ | 1.2 В | 1.2 В | 1.5 В | 1.8 В | 1.8 В | 2.5 В | 2.6 В | 2.8 В | 3 В | 3.1 В | 3.3 В | 900 мВ | 900 мВ | 1.2 В | 1.2 В | 1.8 В | 1.8 В |
Вихідний струм | IOUT | =200 мА; <250 мА | ||||||||||||||||||
Каналів | Каналів | 1 | ||||||||||||||||||
Прохідна напруга | Udropout | 400 мВ200mA | 400 мВ200mA | 300 мВ200mA | 300 мВ200mA | 300 мВ200mA | 200 мВ200mA | 200 мВ200mA | 200 мВ200mA | 100 мВ200mA | 100 мВ200mA | 100 мВ200mA | 100 мВ200mA | 100 мВ200mA | 400 мВ200mA | 400 мВ200mA | 300 мВ200mA | 300 мВ200mA | 200 мВ200mA | 200 мВ200mA |
Тип регулятору | Тип регулятору | |||||||||||||||||||