На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NAND04GR3B2DN6E | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 48-TSOP |
Виробник | Виробник | Numonyx/ST Micro |
Робоча температура | twork | -40 ~ 85 |
Напруга живлення | Vsup | 1.7 В ~ 1.95 В |
Організація пам'яті | Структура | 4G (512M x 8) |
Інтерфейс підключення пам'яті | Інтерфейс | Параллельный |
Тип PROM | Тип | FLASH - Nand |