На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | M95512-RDW6P | M95512-RDW6TP | M95512-RMN6P | M95512-RMN6TP | M95512-WDW6TP | M95512-WMN6P | M95512-WMN6TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||||||
Робоча температура | twork | -40 ~ 85 | ||||||
Напруга живлення | Vsup | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В |
Організація пам'яті | Структура | 64k x 8 | ||||||
Інтерфейс підключення пам'яті | Інтерфейс | SPI, 3-Wire Serial | ||||||
Частота | f | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 2 МГц | 5 МГц | 5 МГц | 5 МГц |
Тип PROM | Тип | EEPROM | ||||||