На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | GE28F640C3TC80SB93 | GE28F640K3C110 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 48-BGA | 56-BGA |
Виробник | Виробник | Intel | |
Робоча температура | twork | -40 ~ 85 | |
Напруга живлення | Vsup | 2.7 В ~ 3.6 В | |
Час вибірки | TQ | 80 нс | 110 нс |
Організація пам'яті | Структура | 64M (4M x 16) | |
Інтерфейс підключення пам'яті | Інтерфейс | Параллельный | |
Тип PROM | Тип | Advanced + Boot Block FLASH | StrataFlash® FLASH |