На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BR24C02-DS6TP | BR24C02-DW6TP | BR24C02-MN6TP | BR24C02-RDS6TP | BR24C02-RDW6TP | BR24C02-RMN6TP | BR24C02-WDS6TP | BR24C02-WDW6TP | BR24C02-WMN6TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor | ||||||||
Робоча температура | twork | -40 ~ 85 | ||||||||
Напруга живлення | Vsup | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 4.5 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 1.8 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В | 2.5 В ~ 5.5 В |
Організація пам'яті | Структура | 256 x 8 | ||||||||
Інтерфейс підключення пам'яті | Інтерфейс | I²C, 2-Wire Serial | ||||||||
Частота | f | 400 кГц | 400 кГц | 400 кГц | 100 кГц | 100 кГц | 100 кГц | 400 кГц | 400 кГц | 400 кГц |
Тип PROM | Тип | EEPROM | ||||||||