На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 25C080-E/P | 25C080-E/SN | 25C080-I/P | 25C080-I/SN | 25C080/P | 25C080/SN | 25C080T-E/SN | 25C080T-I/SN | 25C080T/SN | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-DIP (300 mil) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-DIP (300 mil) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-DIP (300 mil) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) | 8-SOIC (3.9мм ширина) |
Виробник | Виробник | Microchip Technology | ||||||||
Робоча температура | twork | -40 ~ 125 | -40 ~ 125 | -40 ~ 85 | -40 ~ 85 | 0 ~ 70 | 0 ~ 70 | -40 ~ 125 | -40 ~ 85 | 0 ~ 70 |
Напруга живлення | Vsup | 4.5 В ~ 5.5 В | ||||||||
Організація пам'яті | Структура | 1k x 8 | ||||||||
Інтерфейс підключення пам'яті | Інтерфейс | SPI, 3-Wire Serial | ||||||||
Частота | f | <3 МГц | ||||||||
Тип PROM | Тип | EEPROM | ||||||||