IDT71V65903

IDT71V65903, IDT71V65903S80BG, IDT71V65903S80BG8, IDT71V65903S80BGI, IDT71V65903S80BGI8, IDT71V65903S80BQ, IDT71V65903S80BQ8, IDT71V65903S80BQG, IDT71V65903S80BQG8, IDT71V65903S80PF, IDT71V65903S80PF8, IDT71V65903S80PFG, IDT71V65903S80PFG8, IDT71V65903S80PFGI, IDT71V65903S80PFGI8, IDT71V65903S80PFI, IDT71V65903S80PFI8, IDT71V65903S85BG, IDT71V65903S85BG8, IDT71V65903S85BGG, IDT71V65903S85BGG8, IDT71V65903S85BGGI, IDT71V65903S85BQ, IDT71V65903S85BQ8, IDT71V65903S85BQG, IDT71V65903S85BQG8, IDT71V65903S85PF, IDT71V65903S85PF8, IDT71V65903S85PFG, IDT71V65903S85PFG8, IDT71V65903S85PFGI, IDT71V65903S85PFGI8, IDT71V65903S85PFI, IDT71V65903S85PFI8

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIDT71V65903S80BGIDT71V65903S80BG8IDT71V65903S80BGIIDT71V65903S80BGI8IDT71V65903S80BQIDT71V65903S80BQ8IDT71V65903S80BQGIDT71V65903S80BQG8IDT71V65903S80PFIDT71V65903S80PF8IDT71V65903S80PFGIDT71V65903S80PFG8IDT71V65903S80PFGIIDT71V65903S80PFGI8IDT71V65903S80PFIIDT71V65903S80PFI8IDT71V65903S85BGIDT71V65903S85BG8IDT71V65903S85BGGIDT71V65903S85BGG8IDT71V65903S85BGGIIDT71V65903S85BQIDT71V65903S85BQ8IDT71V65903S85BQGIDT71V65903S85BQG8IDT71V65903S85PFIDT71V65903S85PF8IDT71V65903S85PFGIDT71V65903S85PFG8IDT71V65903S85PFGIIDT71V65903S85PFGI8IDT71V65903S85PFIIDT71V65903S85PFI8
Корпус мікросхеми
Корпус
119-BGA119-BGA119-BGA119-BGA165-FBGA165-FBGA165-FBGA165-FBGA100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP119-BGA119-BGA119-BGA119-BGA119-BGA165-FBGA165-FBGA165-FBGA165-FBGA100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP100-TQFP
Виробник
Виробник
IDT, Integrated Device Technol
Робоча температура
twork
0 ~ 700 ~ 70-40 ~ 85-40 ~ 850 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 70-40 ~ 85-40 ~ 85-40 ~ 85-40 ~ 850 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 70-40 ~ 850 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 700 ~ 70-40 ~ 85-40 ~ 85-40 ~ 85-40 ~ 85
Напруга живлення
Vsup
3.135 В ~ 3.465 В
Час вибірки
TQ
80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс80 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс85 нс
Організація пам'яті
Структура
512k x 18
Інтерфейс підключення пам'яті
Інтерфейс
Параллельный
Тип RAM
Тип
SRAM - Synchronous ZBT