IDT70V658S10BC8

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IDT70V658S10BC	IDT70V658S10BC8	IDT70V658S10BCG	IDT70V658S10BF	IDT70V658S10BF8	IDT70V658S10BFG	IDT70V658S10BFG8	IDT70V658S10DR	IDT70V658S10DRG	IDT70V658S12BC	IDT70V658S12BC8	IDT70V658S12BCI	IDT70V658S12BCI8	IDT70V658S12BF	IDT70V658S12BF8	IDT70V658S12BFGI	IDT70V658S12BFGI8	IDT70V658S12BFI	IDT70V658S12BFI8	IDT70V658S12DR	IDT70V658S12DRI	IDT70V658S15BC	IDT70V658S15BC8	IDT70V658S15BF	IDT70V658S15BF8	IDT70V658S15DR
Корпус мікросхеми	Корпус	256-BGA	256-BGA	256-BGA	208-FBGA	208-FBGA	208-FBGA	208-FBGA	208-QFP	208-QFP	256-BGA	256-BGA	256-BGA	256-BGA	208-FBGA	208-FBGA	208-FBGA	208-FBGA	208-FBGA	208-FBGA	208-QFP	208-QFP	256-BGA	256-BGA	208-FBGA	208-FBGA	208-QFP
Виробник	Виробник	IDT, Integrated Device Technol
Робоча температура	t_work	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	-40 ~ 85	-40 ~ 85	0 ~ 70	0 ~ 70	-40 ~ 85	-40 ~ 85	-40 ~ 85	-40 ~ 85	0 ~ 70	-40 ~ 85	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70	0 ~ 70
Напруга живлення	V_sup	3.15 В ~ 3.45 В
Час вибірки	T_Q	10 нс	10 нс	10 нс	10 нс	10 нс	10 нс	10 нс	10 нс	10 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	12 нс	15 нс	15 нс	15 нс	15 нс	15 нс
Організація пам'яті	Структура	2M (64K x 36)
Інтерфейс підключення пам'яті	Інтерфейс	Параллельный
Тип RAM	Тип	SRAM - Dual Port, Asynchronous