NESG2030

NESG2030, NESG2030M04-A, NESG2030M04-T2-A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNESG2030M04-ANESG2030M04-T2-A
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Виробник
Виробник
NEC
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<35 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<2.3 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<80 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>2005mA, 2V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
16 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
900 мдБ ~ 1.1 дБ2GHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB
16 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
12 dBm