На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NESG2021M05-A | NESG2021M05-T1-A | NESG2021M16-A | NESG2021M16-T3-A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | M05 | M05 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж |
Виробник | Виробник | NEC | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <35 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <5 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <175 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1305mA, 2V | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 25 ГГц | |||
Коефіцієнт шума | NF | 900 мдБ ~ 1.2 дБ2GHz | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 15 дБ ~ 18 дБ | |||
Compression Point (P1dB) | P1dB | 9 dBm | |||