На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NE85633L-A | NE85633-R24-A | NE85633-R25-A | NE85633-T1B | NE85633-T1B-A | NE85633-T1B-R24-A | NE85633-T1B-R25-A | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | ||||||
Виробник | Виробник | NEC | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | ||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >5020mA, 10V | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 7 ГГц | ||||||
Коефіцієнт шума | NF | 1.4 дБ ~ 2 дБ1GHz | ||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | ||||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 9 дБ | ||||||