NE85618-T1-A

NE85618, NE85618-A, NE85618-T1-A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNE85618-ANE85618-T1-A
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Виробник
Виробник
NEC
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<12 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>5020mA, 10V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
6.5 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
1.4 дБ ~ 2.1 дБ1GHz ~ 2GHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB
13 дБ ~ 7 дБ